время нарастания сигнала интегральной микросхемы

время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
t_нр
t_к
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
t_нр
t_r
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
t_нар
t_r
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время нарастания сигнала

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_у,пнр, t_нр
t_gr, t_r
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

112. Время нарастания тиристора

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_у,пнр, t_нр

Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_нр

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время восстановления
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• build-up time
• building-up time
• rise time

время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]

время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]

Тематики

• электросвязь, основные понятия
• электротехника, основные понятия

EN

• build-up time
• building-up time
• rise time

время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]

Тематики

• системы зажигания автомоб. двигат.

EN

• rise time

FR

• temps de montée en tension

время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
t_нр
t_r
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
t_нр
t_к
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
t_нр
t_r
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
t_нар
t_r
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время нарастания сигнала

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_у,пнр, t_нр
t_gr, t_r
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

время подъёма
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• rise time

время подъёма мощности
(напр. ядерного реактора)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]

Тематики

• энергетика в целом

EN

• rise time

длительность переднего фронта импульса
время нарастания импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

Синонимы

• время нарастания импульса

EN

• leading edge pulse time
• leading edge time
• pulse leading-edge time
• pulse rise time
• rise time

3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.

Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.

Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа

112. Время нарастания тиристора

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_у,пнр, t_нр

Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя

Время нарастания импульса

Rise time

t_нр.из

Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время нарастания

Rise time

t_нр

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_нр

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время задержки
—
[Интент]

Параллельные тексты EN-RU

The relay remains energized for the duration of the timer.
[Schneider Electric]

Реле остается включенным до истечения времени задержки.
[Перевод Интент]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• delay period
• delay time
• TD
• time delay

время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
время задержки
t_з
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ.
[ ГОСТ 23769-79]

Тематики

• приборы и устройства защитные СВЧ

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
t_зд
t_d
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• delay time

DE

• Verzögerungszeit

FR

• retard à la croissance

время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
t_зд
t_d
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

FR

• temps de délai

время задержки модуля (блока) СВЧ
время задержки
t_з
Интервал времени с момента подачи сигнала на вход модуля (блока) СВЧ до момента появления сигнала на его выходе, определяемый на одинаковых относительных уровнях сигналов.
[ ГОСТ 23221-78]

Тематики

• компоненты техники связи

Обобщающие термины

• модули СВЧ, блоки СВЧ
• параметры

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки
t_зд
t_d
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_у,зд, t_зд
t_gd, t_d
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• delay time

FR

• retard à la croissance

3.11 продолжительность выдержки (delay time): Время определения аналитическим контрольно-измерительным прибором появления химического вещества на внутренней стороне образца для испытания.

Источник: ГОСТ Р ЕН 374-2009: Система стандартов безопасности труда. Средства индивидуальной защиты рук. Перчатки, защищающие от химикатов и микроорганизмов. Общие технические требования. Методы испытаний

111. Время задержки тиристора

E. Delay time

F. Retard à la croissance

t_у,зд, t_зд

Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время задержки

Delay time

t_зд

Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

36. Время задержки для биполярного транзистора

D. Verzögerungszeit

E. Delay time

F. Retard à la croissance

t_зд

Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

209. Время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ

Время задержки

Delay time

t_з

Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ

Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа